2 года обучения
Очная форма обучения на русском языке
Код направления 11.04.04
Старт программы в 2026 году
50+
видов
стипендий для «бюджетников» и «платников»
Ответы на вопросы
Как подать документы?
Подать документы* на поступление можно несколькими способами:
Отправить документы почтой .
Прийти в Университет МИСИС. Контакты приемной комиссии по ссылке .
Пошаговый алгоритм поступления можно посмотреть здесь .
Что необходимо сдавать при поступлении?
Актуальные программы вступительных испытаний по ссылке . Также вы можете поступить без экзаменов по конкурсу проектных работ имени академика А. А. Бочвара.
За что я могу получить дополнительные баллы?
Посмотреть полный список достижений, за которые начисляют дополнительные баллы, можно здесь .
Где можно ознакомиться с информацией о заключении договора при поступлении на внебюджетные места?
Могу ли я получить налоговый вычет за обучение?
Получить социальный налоговый вычет может Заказчик по договору. Ознакомиться с подробной информацией можно на странице в разделе «Информация о предоставлении налогового вычета».
Кому предоставляется общежитие?
На проживание в общежитии могут рассчитывать все иногородние студенты*, в том числе, поступившие на платные места.
Порядок предоставления общежития регламентирован Положением об общежитии .
Другие программы подготовки
Программа направлена на подготовку высококвалифицированных специалистов в области магнитоэлектроники, которые занимаются созданием, диагностикой и применением современных перспективных магнитных материалов и приборов на их основе. Студенты изучают основные классы магнитных материалов в макро- микро- и наноразмерном исполнении и технологии получения этих материалов. Среди объектов изучения — материалы, применяемые для магнитной записи информации, радиопоглощения и радиоэкранирования, гипертермии и адресной доставки лекарств, активных сред СВЧ-электроники, автоматики и телевизионной техники, IoT. Выпускники программы востребованы как в научно-исследовательских организациях, так и в высокотехнологичных компаниях в качестве инженеров-технологов и специалистов R&D департаментов.
Специалист в области микро- и наноэлектроники должен обладать глубокими знаниями в таких направлениях, как материаловедение и физика полупроводников, понимать физические основы технологических процессов создания новых материалов, обладать способностью к саморазвитию и быстрой адаптации. Магистранты участвуют в выполнении научно-исследовательских работ по математическому моделированию технологий получения новых материалов, оптимизации режимов технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, в разработке способов модифицирования компонентов твердотельной электроники и интегральных микросхем, а также методов технического контроля и испытания изделий. В рамках программы ведется подготовка специалистов для отраслевых и академических НИИ, производственных предприятий электронной отрасли, включая предприятия ВПК.
Программа магистратуры «Полупроводниковые преобразователи энергии» готовит специалистов в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники и нанофотоники. Студенты изучают полупроводниковые преобразователи электроэнергии, разрабатывают технологии zero-energy домов, работают над исследованиями в области космической фотоэнергетики, созданием светоизлучающих диодов, солнечных батарей, детекторов ядерных частиц и предлагают новые решения для преобразования энергии. Выпускники программы становятся учеными-исследователями, которые могут продолжить обучение на программах аспирантуры и строить карьеру в науке или устроиться в ведущие российские и международные лаборатории бизнес-компаний для работы с инновационными продуктами энергетической отрасли.
Программа магистратуры реализуется в многотрековом формате и включает два трека: «Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы», «Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов».
*Приём документов начинается с 20 июня.