Программа магистратуры «Полупроводниковые преобразователи энергии» готовит специалистов в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники и нанофотоники. Студенты изучают полупроводниковые преобразователи электроэнергии, разрабатывают технологии zero-energy домов, работают над исследованиями в области космической фотоэнергетики, созданием светоизлучающих диодов, солнечных батарей, детекторов ядерных частиц и предлагают новые решения для преобразования энергии. Выпускники программы становятся учеными-исследователями, которые могут продолжить обучение на программах аспирантуры и строить карьеру в науке или устроиться в ведущие российские и международные лаборатории бизнес-компаний для работы с инновационными продуктами энергетической отрасли.
Программа магистратуры реализуется в многотрековом формате и включает два трека: «Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы», «Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов».
Магистерская программа подойдет выпускникам бакалавриата направлений электроники и микросистемной техники, а также специалистам, которые работают на профильных предприятиях и желают углубить свои профессиональные знания в области создания и применения полупроводниковых электронных приборов на широкозонных материалах.
Актуальность программы
Роль широкозонных полупроводников в передовых технологиях усиливается с каждым годом. Благодаря новым методам исследований сегодня мы можем быстро переходить от планарных светодиодов большой площади к микро- и наносветодиодам. Они применяются в различных сферах: дополненная реальность, оптическая связь и микроскопия за пределами дифракционных ограничений. Перовскитные полупроводниковые материалы используются в индустрии альтернативной энергетики и оптоэлектроники. В частности, это солнечные панели, функционирующие в условиях рассеянного света, сверхтонкие перовскитные диоды и радиационные сенсоры.
Индивидуальная траектория обучения
На программе реализуется многотрековый формат обучения. У каждого студента есть возможность выбрать научное направление в соответствии с темой своего исследования и интересами:
Трек: «Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы» — трек готовит инженеров-разработчиков, технологов и аналитиков, востребованных на отечественном и мировом рынках производства оптоэлектронных приборов, таких как солнечные элементы, детекторы, светодиоды и фотоприемники, созданные на новых широкозонных материалах..
Трек: «Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов» — трек готовит специалистов в области разработки, интеграции и сопровождения технологических процессов производства полупроводниковых приборов и устройств на широкозонных материалах, используемых для применения в системах умного дома, в исследованиях космоса, VR-технологиях и устройствах «интернета вещей».
Совмещение работы и учебы
Занятия проходят в вечернее время, что позволяет совмещать рабочие и учебные исследовательские проекты. У магистрантов есть возможность получать знания по программе без отрыва от работы. С первого курса студенты трудоустраиваются на предприятия бизнес-партнеров программы или в лаборатории университета, где имеют возможность проводить научно-исследовательскую работу под руководством наставников. Во время учебы у каждого магистранта есть возможность опубликовать статьи или тезисы в научных журналах и сборниках, а также принять участие в конкурсах на получение дополнительных стипендий или грантов.
Практико-ориентированный подход
Особое внимание в обучении мы уделяем формированию навыка проведения научных экспериментов — от проектирования приборов на основе полупроводниковых преобразователей до разработки и внедрения технологии производства. Этот навык позволяет работать в собственных проектных командах и в коллаборации с учеными и студентами из других университетов. В свою очередь, предприятия, заинтересованные во внедрении новых технологий, предлагают целевые стипендии для успешных студентов на время их работы в проекте. Мы также привлекаем студентов программы к участию в грантах на НИР, инициируемых научными фондами на федеральном и международном уровнях.
Инфраструктура для исследований
Обучение у лучших сертифицированных ученых-практиков позволяет максимально точно определить сферу своих интересов и направление исследования, связанного с оптоэлектроникой, нанофотоникой и полупроводниковыми преобразователями энергии. Во время учебы студенты работают над научными проектами с использованием вычислительных мощностей и современного оборудования в лабораториях и научных центрах НИТУ МИСИС, а также в партнерских организаций, таких как НПП «Квант».
Студенты программы участвуют в экспериментах, проводимых в рамках проектов MegaScience: проводятся разработки противорадиационной защиты и создаются солнечные батареи для IoT. Студенты активно публикуют собственные научные работы, а также работы в соавторстве в международных научных изданиях с высоким импакт-фактором.
Дополнительные возможности для студентов
Ежегодно студенты кафедры ППЭ и ФПП становятся победителями грантовых и стипендиальных программ правительства и президента РФ, программ УМНИК с возможностью получить грант в размере 500 000 рублей и «Студенческий стартап» в размере 1 млн. руб. В процессе учебы магистры имеют возможность пройти стажировку в университете Тор Вергата в Риме и на предприятиях бизнес-партнеров.
Участие в международных коллаборациях
Студенты имеют возможность пройти стажировку и принять участие в проектах институтов-партнеров:
MegaScience;
Исследования оптоэлектронных приборов на основе широкозонных материалов GaN и Ga2O3 совместно с учеными из Korea University и Университет Флориды (США);
Перовскитные оптоэлектронные приборы совместно с учеными из Университета Тор Вергата в Риме (Италия) и Университета Техас в Далласе (США);
Институт структуры материи Национального исследовательского совета (ISM-CNR, Италия), Университет Пуатье (Франция).
Дисциплины программы
20
предметов в области материаловедения, изучения оборудования и современных методов диагностики приборов для решения актуальных задач, связанных с изготовлением изделий из новых материалов
Ключевые дисциплины:
Компьютерные технологии в научных исследованиях
Проектирование и технология электронной компонентной базы
Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур
Приборные структуры на широкозонных полупроводниках
Современные методы диагностики и исследования наногетероструктур
Приборные структуры на некристаллических материалах
Силовые полупроводниковые приборы
Радиационно-технологические процессы в электронике
Основы надежности элементной базы электроники в условиях ионизирующего излучения космического пространства
Оборудование для производства наногетероструктурных солнечных элементов
Окончил МИСиС в 1973 году, работал в НИИПФ (1973-1982 гг.), Гиредмет (1982-2014 гг.), к.т.н. с 1983 г. Стажировки в Университете Карнеги-Меллон (США) в 1990-1992,1995-1997,2003-2005 гг., Бостонском университете в 2000 г., в Университете Чонбук (Корея) — в 2011-2012 гг. и 2013-2014 гг. В НИТУ МИСиС с 2014 г. Направление исследований — широкозонные материалы и приборы на их основе.
Область научных интересов: физика полупроводников, полупроводниковая метрология. Значимые исследовательские проекты посвящены таким темам, как: композитные мультиферроики на основе бидоменных сегнетоэлектриков; многокаскадные солнечные батареи; радиационные дефекты в кремнии; диффузия примесей в германии; рекомбинационное время жизни СНЗ; СТД в соединениях А2В6. В 2010 году награждена Почетной грамотой Министерства науки и высшего образования РФ.
Разработка и исследование детекторов частиц и фотонов, солнечных элементов на широкозонных материалах (GaAs, алмаз, перовскит). Проекты в рамках ФЦП, госзадания, РНФ, 220 Постановления Правительства РФ. Золотая медаль международной торговой выставки iENA-2019 (г. Нюрнберг) за изобретение «Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами». Серебряная медаль Московского международного салона изобретений и инновационных технологий «Архимед 2021» за изобретение «Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов».
Область научных интересов: взаимодействие ионизирующих излучений с веществом, радиационные эффекты в материалах и изделиях электронной техники, проектирование радиационно-стойких изделий микроэлектроники и фотоники, методическое обеспечение радиационных и надежностных испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры, разработка полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений. Более 160 научных работ, включая 6 монографий и 4 учебных пособия. Главный редактор научно-технического сборника «Вопросы атомной науки и техники. Серия: «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру».
НИТУ МИСИС сотрудничает с ведущими компаниями и научно-исследовательскими организациями. Большинство выпускников продолжает заниматься научными исследованиями и поступает на программы аспирантуры или становится специалистами R&D технологических компаний и стартапов, проектировщиками инфраструктуры IoT и «умного» города.
Осваиваемые профессии
Специалист/инженер по разработке волоконно-оптических датчиков
Инженер-испытатель оптоэлектроники
Инженер солнечных электростанций
Инженер микроэлектроники
Инженер оптико-электронных приборов
R&D-менеджер технологических компаний и стартапов
Инженер-разработчик интегральных схем
Проектировщик инфраструктуры «умного дома»
Инженер-электроник
Инженер-разработчик изделий электронной техники
Инженер-испытатель полупроводников
Инженер-технолог по производству изделий микроэлектроники
Ответы на вопросы
Подать документы* на поступление можно несколькими способами:
Прийти в Университет МИСИС. Контакты приемной комиссии по ссылке.
Пошаговый алгоритм поступления можно посмотреть здесь.
*Приём документов начинается с 20 июня.
Актуальные программы вступительных испытаний по ссылке. Также вы можете поступить без экзаменов по конкурсу проектных работ имени академика А. А. Бочвара.
Посмотреть полный список достижений, за которые начисляют дополнительные баллы, можно здесь.
Получить социальный налоговый вычет может Заказчик по договору. Ознакомиться с подробной информацией можно на странице в разделе «Информация о предоставлении налогового вычета».
На проживание в общежитии могут рассчитывать все иногородние студенты*, в том числе, поступившие на платные места.
* студенты, прописанные в других государствах, субъектах Российской Федерации, а также жители дальнего Подмосковья.
Фотогалерея
Отзывы студентов
Садыков Жакыпбек, инженер-исследователь Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience
Данная программа была выбрана мной по причине актуальности полупроводниковой промышленности и технологии в целом в наше время. На основе них производятся практически все современные цифровые устройства. Во время учебы было принято участие в конференциях Дни науки МИСИС, международной конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» 2020. Благодаря обучению на данной программе удалось стать участником эксперимента SND@LHC на большом адронном коллайдере, эксперимента NEWS в лаборатории Гран-Сассо (Италия).
*Приём документов начинается с 20 июня.