Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Премьер-министр Вьетнама Фам Минь Тинь в НИТУ МИСИС
Всероссийский проект «Школа наставничества»
Участники праздника Навруз в НИТУ МИСИС стоят на сценесегодня, в 10:30
Награды XXIX Московского международного салона изобретений и инновационных технологий «Архимед-2026»