Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Д.В. Штанский
Леонид Левин, Алексей Карфидов, Софья Малявина
Ключ к безопасности: учёные усилили квантовую криптографию с помощью нейросети
Сцена торжественного мероприятия «С наукой в сердце»