Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Бор против коррозии: разработано новое износостойкое покрытие для морской техники
В НИТУ МИСИС рассказали, как выстраивать эффективное сотрудничество между наукой и бизнесом
Го без границ: в НИТУ МИСИС создали игровую тактильную доску для людей с нарушением зрения