Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
НИТУ МИСИС — в топ-10 рейтинга вузов по качеству подготовки специалистов в области ИИ
Актив на десятилетия: как углехимия поможет повысить капитализацию угольного бизнеса
Химический «клей» для антибиотика: новая методика удерживает лекарство на раневой повязке до 7 дней