Обучающиеся Университета МИСИС стали победителями конкурса на получение стипендии имени Камиля Ахметовича Валиева — одного из основоположников отечественной научной школы в области микроэлектроники. Стипендия выплачивается ежемесячно в размере 55 тысяч рублей для студентов, 75 тысяч рублей — для аспирантов. Конкурс ежегодно проводит Минобрнауки России.
Стипендии им. К.А. Валиева учреждена, чтобы привлекать и готовить кадры для электронной промышленности, повышать престиж научных и образовательных дисциплин в области микроэлектроники. Лауреаты получают ежемесячное поощрение за значительные успехи в области электронной промышленности.
Среди лауреатов этого года — магистранты НИТУ МИСИС Александра Феклистова и Андрей Романов, аспирант университета Антон Васильев.
Александра Феклистова с отличием окончила бакалавриат и обучается в магистратуре по направлению «Электроника и наноэлектроника», работает инженером-технологом на предприятии АО «НПП «Квант». Александра — победительница
Андрей Романов получил красный диплом бакалавра по направлению «Электроника и наноэлектроника», учится в магистратуре НИТУ МИСИС и занимает должность лаборанта-исследователя в лаборатории «Ультраширокозонные полупроводники». Андрей — соисполнитель по мегагранту «Новые радиационные явления в оксидах галлия и их применение в приборах». За последние два года опубликовал четыре статьи в иностранных журналах первого и второго квартилей. Магистерская диссертация студента будет посвящена исследованию факторов, влияющих на приборные характеристики метастабильных полиморфов оксида галлия (Ga2O3).
Среди достижений аспиранта НИТУ МИСИС Антона Васильева — 42 научных статьи в ведущих зарубежных журналах, 23 из которых опубликованы за последние три года. Разработанная им программа для характеризации диффузионных длин в полупроводниковых структурах охраняется свидетельством о регистрации программы ЭВМ. Ранее Антон с отличием окончил магистратуру по направлению «Электроника и наноэлектроника». Помимо успехов в учебе, Антон получил поддержку от Фонда содействия инновациям для разработки эффективных УФ солнечно-слепых детекторов на основе оксида галлия. Васильев — соисполнитель по двум молодежным проектам РНФ и по мегагранту «Новые радиационные явления в оксидах галлия и их применение в приборах». Сейчас он занимает должность инженера научного проекта в лаборатории «Ультраширокозонные полупроводники». Диссертация посвящена изучению свойств дефектов оксида галлия и их влиянии на свойства приборов. Исследовательская работа по этому направлению активно ведется и развивает совместно с группами из ФТИ им. А.Ф. Иоффе в Санкт-Петербурге, Университета Флориды в США, Университета Корё в Корее и Университета Осло в Норвегии.
Такие исследования являются важным шагом на пути развития полупроводниковой технологии широкозонных полупроводников в России и позволят определить место Ga2O3 в нишах силовой и оптической электроники.
Стипендия учреждена 1 сентября 2023 года — постановление подписал Председатель Правительства Михаил Мишустин.
Конкурсная комиссия отобрала 50 студентов и 30 аспирантов из ведущих отечественных научно-исследовательских центров.
